Transphorm公布季度营收，同比增长14%

受政府合同收入的推动，2024财年第一季度（至2023年6月底），Transphorm季度收入同比增长14%，达到590万美元。

(相关资料图)

该公司实现了产能的持续增长，其在日本的外延片业务每月的外延片产量创下历史新高，并在GlobalWafer的外延片运营中释放了两个额外的产线用于工艺开发。

毛利率为36%，高于上季度的5%，超过了预期的30-34%。

在非公认会计原则的基础上，运营费用为683万美元，高于一年前的543万美元但低于上季度的755万美元。

净亏损为450万美元（每股0.08美元），比一年前的423万美元（每桶0.08美元）有所增加，但比上季度的724万美元有所减少，超过了预期的每股0.10至0.13美元的亏损。

本季度，现金、现金等价物和限制性现金减少了1270万美元，从1600万美元降至330万美元。但这主要是由于Transphorm在4月份全额偿还了其从Nexperia获得的1200万美元贷款（并结束了其在电动汽车领域对Nexperia的独家经营权）。

此外，这还不包括7月底完成的配股总收益794万美元（净额760万美元）。该公司表示：“我们现在开始对Transphorm进行之前宣布的战略审查，目标是最大限度地提高股东价值，包括潜在的战略和/或传统股权或债务融资、美国和亚洲的许可机会以及并购机会。”。

本季度的业务亮点如下：

高功率段业务亮点：

更高功率（300W–7.5kW）的设计从6月份的60个增长了25%，达到75个以上（生产中的超过30个），在微型逆变器和计算等领域具有吸引力。

Transphorm GaN开发了多个1.5–7.5kW范围的钛额定电源得到了人工智能计算和数据中心电源的验证，实现了从电源游戏显卡到数据中心电源单元（PSU）的更高效率和更高功率密度，并为底层GaN拓扑结构提供了基础专利。

Transphorm采用专利方法，并与Yaskawa Electric合作，实现了证明高达5μs短路耐受时间（SCWT）的行业里程碑，证明了该公司有能力满足伺服电机、工业电机、以及传统上由IGBT或碳化硅（SiC）MOSFET提供服务的电动汽车动力传动系——GaN的总可触达市场（TAM）超过30亿美元。

Transphorm正在亚洲领先的2轮和3轮电动公司开发多个300W–2kW充电器平台，其中包括印度的一家前三大市场领导者公司。

该公司展示了一种600W电池充电解决方案，其中GaN FET与硅超结相比实现了超过1%的效率增益（14%的损耗减少），同时在较小的GaN器件中与硅器件相比将功率器件数量减少了25%——比硅器件更便宜，性能更高。

通过1200V FET的进步，GaN在汽车电动汽车市场的地位得到了加强：一个模拟原型已经发布，并受到了OEM、Tier1和ODM的兴趣。

低功率段业务亮点

电源适配器和快速充电器（<300W）的总设计成本从6月份的90多个增长到100多个（生产中有30多个），增长了10%。

多种笔记本充电器设计，现在正在为排名前五的几家OEM发货，以及一些ODM。

该公司的SiP策略正在收获，该策略在65W和100W适配器设计中使用相同的Transphorm FET，具有多功能性，这是与竞争的E-Mode GaN不可能实现的。

Transphorm获得了一项基于系统封装（SiP）的设计胜利，预计从2024年下半年开始，该设计将在供应多样化消费电源配件产品的领先OEM中每年增加到数百万台。